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RSiC炉管：再結晶炭化ケイ素炉管は半導体製造装置の主要部品であり、主に高温プロセスチャンバー（エピタキシャル成長、イオン注入、拡散炉など）に使用されます。焼結体の純度は3N以上、加工精度は0.01mmに達し、超高純度、耐腐食性、精密サイズの要件を満たしています。