高純度SiC原料粉末/SiC粗粉末(5N-6N)
製品説明
高純度炭化ケイ素粉末は、優れた物理的・化学的特性を有する高性能セラミック材料であり、主に高純度炭化ケイ素（SiC）で構成されています。SiC原料粉末5N-6Nの純度は通常99.999%～99.9999%で、鉄、アルミニウム、酸素などの不純物は極めて少なく、総不純物含有量は0.001%（10 ppm）～0.0001%（1 ppm）の範囲に制御する必要があります。
一般的なSiCには、α-SiC（六方晶系、例えば4H型や6H型）とβ-SiC（立方晶系）があります。SiC粗粉は通常α相にあり、高い安定性を有しています。SiC粗粉の粒径範囲は10μmから100μmで、SiC原料粉の製品純度は5Nレベル（純度99.999%以上）に達することもあります。
このSiC粗粉材料は、通常の工業用研磨材や耐火材料の範囲をはるかに超えており、SiC原料粉は次世代の高性能半導体デバイスを製造するための中核となる基本材料です。
SiC原料粉末の特性
SiC原料粉末純度：99.999%（5N）～99.9999%（6N）
粒子サイズ：通常10～100μm（SiC粗粉末範囲）
結晶相：主にα-SiC（電子用途では6Hまたは4Hポリタイプ）
主な不純物:
金属（鉄、アル、ニ、Cr）：<1 ppm（6N）、<5 ppm（5N）
酸素（O）：<50 ppm
窒素（N）：<20 ppm
遊離炭素（C）：<0.1%
製品詳細
炭化ケイ素純度：99.999%(5N)～99.9999%(6N)。
高純度SiC原料粉末はハイエンド製造業の重要な基礎材料であり、新エネルギーや5Gなどの産業の発展に伴い、需要は拡大し続けています。
半導体業界では、物理気相転写（プライベート）法による炭化ケイ素単結晶インゴット育成の原料として用いられています。粉末は高温で昇華し、種結晶に輸送されて再結晶化され、単結晶インゴットへと成長してウェーハ製造に用いられます。炭化ケイ素自体の高硬度、高熱伝導性、耐熱衝撃性に加え、5N-6N高純度粉末の核となる特性は、極めて高い純度にあります。
5N-6N高純度シリコンカーバイド粉末は、半導体産業ピラミッドの頂点に立つ真珠のような存在です。もはや単なる粉末ではなく、極めて高い純度、精密な結晶構造、そして厳格な粒子サイズ制御を必要とする最先端の機能性材料です。その製造は、材料科学、化学、熱力学、工学を網羅する巨大な課題であり、将来の電気自動車、新エネルギー、そして5G通信技術の開発において重要な役割を果たします。
パッキング
私たちの利点
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