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RSiC ウェーハ キャリアは、半導体製造および結晶成長プロセスにおける重要なキャリアであり、主に高温環境でシリコン ウェーハまたはシリコン カーバイド基板を搬送するために使用されます。 半導体ウェーハキャリアには、高純度、高温耐性（1600℃以上）、酸およびアルカリに対する耐腐食性、低熱膨張係数、高熱伝導性などの利点があります。