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シリコンカーバイド製品用微粉末原料

  • Starlight SiC RAW Powder
  • 瀋陽、中国
  • 30日~45日
  • 500t/年のSiC製品処理
炭化ケイ素製品用のSiCマイクロパウダーは、ほぼ球形の粒子が得られるように成形されており、炭化ケイ素パウダーはグラウトおよび押し出し成形プロセスの高い要件を満たしています。

シリコンカーバイド製品用微粉末原料

SiC micro powder

製品説明

再結晶炭化ケイ素粉末は、セラミックス、電子パッケージング、ガラス、化学、鉄鋼、自動車、航空宇宙、軍事、非鉄金属といった伝統産業において広く利用されています。再結晶炭化ケイ素粉末の応用範囲は非常に広く、伝統産業からハイテク分野まで、多方面をカバーしています。炭化ケイ素製品用粉末は、再結晶高温炉の常用材料となっており、高性能材料としての価値と潜在能力を発揮しています。

重要なセラミック前駆体として、再結晶SiC微粉末の造粒処理は、プロセス適応性の向上を実現します。粒状粉末は、純度、粒度分布、粒子形態、焼結性能の点で、通常の粉末よりもはるかに優れています。

特殊な処理を施すことで、炭化ケイ素粉末はほぼ球形となり、流動特性に優れ、SiCマイクロ粉末は、射出成形や押出成形工程における原料の流動性と充填の要件を十分に満たすことができます。炭化ケイ素製品用の粉末は、厳しい品質要件が求められるハイエンドの用途に適しています。

原材料特性

粒子特性の観点から見ると、造粒技術によって加工された炭化ケイ素粉末は、球形が規則的で、粒度分布が均一であり、流動性が大幅に向上しています。同時に、SiCマイクロパウダーは原料の純度に対する要求が極めて高く、製造工程における不純物含有量は厳密に管理されているため、厳格な化学純度基準が求められる用途にも対応できます。

用途面では、このSiCマイクロパウダーは主に半導体単結晶成長や高性能セラミックス製造といったハイエンド分野に使用され、特に材料の総合的な性能に対する厳しい要求が求められる用途に適しています。製造工程では、噴霧造粒法や流動層造粒法といった高度な技術を採用し、粒子の真球度とバッチの均一性を確保しています。

再結晶造粒粉末は、丸みを帯びた形状、良好な流動性、高い嵩密度、そして適切な粒度分布を有します。圧縮製品の特性に応じて、様々な粒径の造粒粉末を選択できます。炭化ケイ素粉末は優れた物理的・化学的特性を有するため、粒状SiCマイクロ粉末はその後の成形および焼結工程において優れた性能を発揮し、高い嵩密度、低い焼結収縮率を実現し、炭化ケイ素製品に適した粉末となり、最終的なセラミック製品や単結晶材料の品質向上に貢献します。

製品詳細

silicon carbide powder

SiCマイクロパウダーの粒子サイズ範囲:20~325µm。

嵩密度:0.8g/cm3

パッキング


powder for silicon carbide products

SiC micro powder

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