ロングトゥース8インチウェーハボートRSiC高純度

8インチウエハボートは、再結晶シリコンカーバイド(RSiC)製の特殊キャリアデバイスで、200mmウエハ処理向けに特別に設計されています。この8インチウエハボートは、独自のロングトゥース設計を特徴としており、放熱効率を大幅に向上させるとともに、高密度マルチチップ集積化をサポートします。RSiCウエハボートは、耐高温性、耐腐食性、優れた機械的強度、優れた半導体特性など、卓越した性能特性を備えており、集積回路製造、LED製造、その他のマイクロエレクトロニクス用途に不可欠な製品となっています。
この8インチウェーハボートは、汚染レベルを最小限に抑え、製造公差を精密に制御することで、高温半導体製造プロセスにおける信頼性の高いサポートを提供します。当社は、タイル型、3列型、4列型など、様々な構成のボートを製造しており、6インチ、8インチ、12インチの仕様をご用意しています。RSiCウェーハボートは、半導体および太陽光発電分野で広く利用されており、特に小型ウェーハの酸化プロセスやイオン注入プロセスに適しています。
材料の技術的パラメータ
半導体・太陽光発電産業 | RSiC |
SiC純度(%) | 99.9-99.99 |
嵩密度(g/cm3) | 2.65~2.75 |
見かけ多孔度(%) | 15-16 |
室温強度(MPa) | 90 |
1300℃における強度(MPa) | 100 |
焼結体の接合強度(MPa) | 25 |
製品詳細


RSiCウェーハボートは、200mm(8インチ)ウェーハ向けに特別に設計されたプレミアムグレードのキャリアソリューションであり、拡散工程や酸化工程を含む重要な半導体熱処理プロセスに広く採用されています。この先進的な8インチウェーハボートは、再結晶シリコンカーバイドをベース材料とし、化学気相成長(CVD)技術によるシリコンカーバイドコーティングを施しています。この8インチウェーハボートは、構造的完全性と優れた表面保護を効果的に両立しています。
RSiC ウェーハ ボートは、基板とコーティング間の熱膨張の適合性を完璧に維持し、ひび割れや剥離のリスクを排除します。
RSiCウェーハボートは、炭化ケイ素(SiC)本来の高い融点と化学的不活性性から得られる優れた熱安定性を備え、1250℃を超える処理温度においても、軟化、変形、環境汚染を生じることなく、一貫した構造的完全性と性能を維持します。この8インチウェーハボートの標準的な耐用年数は2~3年で、交換頻度とメンテナンスコストを大幅に削減し、装置のダウンタイムを最小限に抑え、生産経済性を向上させます。
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